AG Experimentelle Nanophysik und Photonik
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AG Experimentelle Nanophysik und Photonik

Wir befassen uns mit der Erforschung der optischen und elektronischen Eigenschaften von Gruppe III-Nitrid-Halbleitern und der Entwicklung von Nanophotonischen Bauelementen.
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Arbeitsgruppe Prof. Dr. Michael Kneissl

Die Arbeitsgruppe "Experimentelle Nanophysik und Photonik" befasst sich mit der Erforschung der optischen und elektronischen Eigenschaften von Gruppe III-Nitrid Verbindungshalbleitern und Nanostrukturen, sowie der Entwicklung von Nanophotonischen Bauelementen. Unsere Forschungsarbeiten zielen darauf ab, die Bildung von Nanostrukturen auf atomarer Skala mittels Metalorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) zu kontrollieren und deren Eigenschaften für Anwendungen in neuartigen Lichtemittern maßzuschneidern. Unser besonderes Interesse gilt der Entwicklung von AlGaN Quantenfilm basierten Leuchtdioden im ultravioletten Spektralbereich (UV-LEDs), UV Laserdioden und Vertical Cavity Surface Emitting Lasern (UV-VCSEL), GaN-Quantenpunkt-basierten Einzelphotonemittern (SPE) sowie der Integration der Bauelemente in UV Photonic Integrated Circuits (UV-PICs).

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Studium & Lehre

Hier erfährst du mehr zur Vorlesung Festkörperphysik, dem physikalischen Fortgeschrittenen-Praktikum, Seminaren und unserem aktuellem Angebot an Abschlussarbeiten.

Forschung

Du möchtest mehr über unsere aktuellen Forschungsaktivitäten, Forschungspartner und neuesten wissenschaftlichen Publikationen erfahren dann bist du hier genau richtig.

Über uns

Hier stellen wir die Mitglieder unserer Arbeitsgruppe vor und du erfährst wie du uns am besten kontaktieren kannst.

Aktuelles

Hier findest du Neuigkeiten zu unseren laufenden Forschungsprojekten sowie geplanten Webinaren und Konferenzen.

Aktuelle Bachelorarbeit im Rahmen des Joint Lab GaN Optoelektronik am FBH

Investigating the influence of oxygen on epitaxially sputtered aluminum nitride
The aim of the work is to investigate the impact of an intentional oxygen doping during epitaxial sputtering of aluminum nitride. For this purpose, parameters such as the duration and the amount of oxygen are to be investigated. After sputtering and also after annealing at ~1700°C, the samples produced in this way will be analyzed for their material properties using atomic force microscopy, defect-selective etching and X-ray diffraction.

 

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