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TU Berlin

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Charakterisierung von Semipolar AlN/AlGaN Heterostrukturen für UV-LEDs

Dienstag, 12. Juni 2018

Im Rahmen der Arbeit soll die morphologische und mikrostrukturelle Charakterisierung von Semipolar (11-22) Gruppen III-Nitrid AlN/AlGaN vorgenommen werden. Die Proben werden via metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) auf m-plane Saphir Substraten mit hohem Aluminumgehalt gewachsen. Im Versuch wird ein Rastkraftmikroskop verwendet, um Oberflächenstrukturen auf den Schichten zu untersuchen. Eine Röntgenanlage wird auch verwendet, um verschiede Kristallerichtungen in den Proben zu untersuchen. Das Ziel ist schließlich auf AlN Substraten ein komplette UV-LED Heterostruktur zu wachsen.

Beginn: ab jetzt

Ansprechpartner:

Photolumineszenzspektroskopie an AlGaN-Heterostrukturen zur Bestimmung der internen Quanteneffizienz und der optischen Polarisation

Donnerstag, 07. Juni 2018

Im Rahmen der Masterarbeit sollen temperatur- und leistungsabhängige Messungen zur Bestimmung der Internen Quanteneffizienz von Lichtemittern im tiefen UV-Bereich durchgeführt werden. Für geringe Anregungsleistungen soll ein neuer Energiesensor für den verwendeten ArF-Laser (193 nm) eingebunden werden. Daher wären LabVIEW-Kenntnisse bzw. die Bereitschaft zur Einarbeitung in die LabVIEW-Programmierung wünschenswert. Daneben soll ebenfalls die optische Polarisation der Lichtemitter bei Raumtemperatur untersucht werden; insbesondere der Wechsel von transversal elektrisch (TE) zu transversal magnetischer (TM) Polarisation für Lichtemitter im tiefen UV-Bereich.

Beginn: ab August 2018

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