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Diplomarbeiten

Thema
Name
Physikalische Eigenschaften von Leuchtdioden mit Frontemission im UV-A Spektralbereich [1]
Simon Fleischmann
Oberflächeneigenschaften von sauberen und Adsorbatterminierten In(Ga)N-Schichten [2]
Sabine Alamé
Wachstum und Charakterisierung von InGaN basierten Laserdioden fuer blauen Spektralbereich [3]
Bo Zhao
Wachstum und Cherakterisierung von InN in semipolare und nichtpolare Richtung [4]
Sergej Solopow
Metallkontakte auf semipolarem und polarem Galliumnitrid [5]
Marcus Stascheit
Wachstum und Charakterisierung InGaN basierter Lichtemitter im blauen Spektralbereich [6]
Gunnar Kusch
Untersuchung der elektrischen, optischen und thermischen Eigenschaften von GaN-Laserdioden [7]
Daniel Matthesius
UV-Photolumineszenzspektroskopie an AlGaN und InAlGaN MQWs [8]
Christoph Reich
Chemische Passivierung von III-IV Halbleitern mit organischen Molekülen [9]
Florian Duge
Wachstum von InGaN-Schichten mit der Metallorganischen Gasphasenepitaxie [10]
André Kruse
Elektrooptische und elektrothermische Untersuchungen an Leuchtdioden im ultravioletten Spektralbereich [11]
Michael Hoppe
MOVPE von AlGaN-Schichten mit hohem Aluminiumgehalt [12]
Igor Kuznecov
Optoelektronische Eigenschaften und Spektrale Emp ndlichkeit von AlGaN-basierten Photodetektoren [13]
Martin Martens
Untersuchung und Optimierung von ultravioletten AlGaInN-basierten LEDs [14]
Toni Sembdner
in-situ Wachstumsanalyse in der MOVPE mittels Scanning Tunneling Microscopy [15]
Matthias Schmies
Wachstum von GaN basierten Materialien auf semipolaren Oberflächen [16]
Martin Frentrup
Morphologie und atomare Struktur von In(Ga)N Oberflächen und Nanostrukturen [17]
Amelie Biermann
Dotierung und Charakterisierung von (Al)GaN Schichten mittels MOVPE [18]
Özgür Savas

Bachelorarbeiten

Thema
Name
Photostromspektroskopie an AlGaN Schottky-Photodioden fuer solarblinde UV-Detektion [19]
Simon Kapanke
Morphologische Eigenschaften von InGaN Quantenpunkten gewachsenmittels MOVPE [20]
Tino Simoneit
Photolumineszenzspektroskopie an (In)AlGaN-Quantentoepfen fuer eziente ultraviolette Lichtemitter [21]
Nikolay Ledentsov
Aufbau eines Tieftemperatur Hall-Messstandes zur Charakterisierung von (Al)GaN-Schichten [22]
Martin Guttmann
Untersuchung Nitrid-basierter UV Photodetektoren mit unterschiedlichen Absorptionsschichten [23]
Bertram Jaeger
Charakterisierung von AlGaN-basierten MSM Photodetektoren mit unterschiedlichen Fingerkontakt-Geometrien [24]
Alexander Wolf
Morphologische Untersuchungen zum
Stufenfluss- und Stufenbündelwachstum
an AlN gewachsen mittels MOVPE [25]
Alexander Sabelfeld
Elektrische Eigenschaften von Pt- und Pd-basierten Kontakten auf GaN:Mg [26]
Thomas Tenzler
Poole-Frenkel-Ionisation in Al0,71Ga0,29N:Mg/Al0,65Ga0,35N:Mg kurzperiodischen Übergittern [27]
Emil Mickein
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