Liebe Studierende,

unsere Arbeitsgruppe beschäftigt sich mit den physikalischen Eigenschaften von Halbleiter-Grenzflächen und Halbleiter-Nanostrukturen. Unser Interesse gilt vor allem der räumlichen und elektronischen Struktur auf atomarer Größenordnung und den sich daraus ergebenden makroskopischen Eigenschaften der entsprechenden Materialanordnungen.

Bachelor- und Masterarbeiten können in den Forschungsschwerpunkten [2] unserer Arbeitsgruppe angefertigt werden. Als festkörperphysikalische Oberflächen-Analysemethoden benutzen wir STM (Raster-Tunnel-Mikroskopie) [3] und STS (Raster-Tunnel-Spektroskopie) und PES (Photo-Elektronen-Spektroskopie) [4] bei BESSY [5].

Die folgenden Themengebiete können wir z. B. momentan anbieten:

• MBE-Wachstum und STM-Untersuchung von InAs-Filmen und -Quantenpunkten
• STM/STS und PES an selbstorganisierten Nanodrähten und Clustern auf Siliziumoberflächen
• STM/STS an Querschnittsflächen von III-V-Halbleitern, z. B. von InAs-Quantenpunkten
• STM/STS an Querschnittsflächen von Nitridstrukturen, z. B. aus InGaN

Weitere Informationen geben die wiss. Mitarbeiter [6]der Arbeitsgruppe oder der Chef [7]. Besuchen Sie uns doch einfach mal in unseren Laborräumen EW 403 und EW 412-417.