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TU Berlin

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Prof. Dr. Michael Kneissl

Lupe

Institut für Festkörperphysik
Eugene-Paul-Wigner Bldg.
Office EW 6-1
Hardenbergstr. 36
10623 Berlin
Germany
Tel. ++49-30-314-22078
Fax ++49-30-314-21769
email:

Curriculum Vitae

Nach dem Studium der Physik an der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen und einem Aufenthalt als Gastwissenschaftler am Department of Electrical Engineering & Computer Sciences an der University of California in Berkeley hat Michael Kneissl 1996 seine Promotion an der Universität Erlangen "mit Auszeichnung" abgeschlossen. Danach ging er als Postdoc an das Palo Alto Research Center (PARC) der Firma Xerox, wo er 1997 Wissenschaftlicher Mitarbeiter wurde und 2004 zum Principal Scientist ernannt wurde. Nach neun Jahren in Kalifornien kehrte er 2005 zurück nach Deutschland um den Lehrstuhl für „Experimentelle Nanophysik und Photonik" am Institut für Festkörperphysik an der Technischen Universität Berlin zu übernehmen. Zeitgleich wurde er zum Leiter des Geschäftsbereichs GaN-Optoelektronik am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) in Berlin ernannt. Seit 2008 ist er Sprecher des Sonderforschungsbereich "Halbleiter-Nanophotonik" (SFB 787), der mit über 33 Mio € durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) gefördert wird. Seit 2011 ist er zudem Geschäftsführender Direktor des Instituts für Festkörperphysik der TU Berlin.

Seine Interessen umfassen Halbleitermaterialien großer Bandlücke, insbesondere Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) von InAlGaN Nanostrukturen und darauf basierende nanophotonische Bauelemente. Wichtige Meilensteine seiner Arbeiten sind u.a. die Demonstration des ersten GaN-basierten Distributed Feedback (DFB) Lasers, der ersten InGaN Dünnschicht-LEDs mittels Excimer-Laser-Lift-off, der ersten InGaN Multiple-Quantum-Well (MQW) Laserdioden auf Kupfer- und Diamant-Substraten, die Realisierung von Q-Switching in Zwei-Sektion InGaN Laser-Dioden, die Demonstration der unidirektionalen Emission aus spiralförmigen Microcavity Scheibenlasern und die Realisierung vertikal emittierender GaN-Scheibenlaser (VECSEL) im blau-violetten Spektralbereich. In jüngerer Zeit konzentriert sich seine Forschung auf die Entwicklung von Halbleiterbasierten UV-Lichtquellen. Wichtige Ergebnisse auf diesen Gebiet sind die erste Demonstration von Injektionlaserdioden im ultravioletten Spektralbereich mit AlGaN und InAlGaN MQW aktive Regionen, die Realisierung von effizienten Leuchtdioden im ultravioletten (UV) Spektralbereich, die Demonstration erster UV Injektionlaserdioden auf AlN Substrat und die Realisierung von UV-LED Modulen für verschiedenste Anwendungen, u.a. in der Wasserdesinfektion, Phototherapie und Sensorik.

Michael Kneissl ist Autor von mehr als 300 Veröffentlichungen, fünf Buchkapitel und hält mehr als 50 Patente. Vor kurzem war er Mitherausgeber eines Buches über "III-Nitride Ultraviolet Emitters - Technology & Applications" welches vom Springer-Verlag veröffentlicht wurde. 1997 erhielt er einen der Xerox Team Excellence Awards in Research and Technology für die Realisierung von blauen Laserdioden zur Anwendungen in hochauflösenden Laserdruckern und ein "Xerox Corporate Research Group Achievement Award" in 1999 für die Demonstration eines GaN-basierten blau-violetten Lasers im CW Betrieb. In den Jahren 2002 und 2003 war er Empfänger des PARC "Golden Acorn Award" für Patente im Bereich der GaN-Laserbauelementtechnologien. Er erhielt außerdem einen DARPA "Outstanding Performer Award" in 2003 für seine Beiträge zum DARPA/MTO „Semiconductor UV Sources" (SUVOS) Programm. Küzlich wurde er für seine Beitraege zur Entwicklung von Halbleiterlaserdioden großer Bandlücke und UV LEDs zum 2016 IEEE Fellow des Institute of Electrical and Electronics Engineers ernannt.