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Gruppenseminar
"Physik der Gruppe-III-Nitride: Eigenschaften, Bauelemente und Oberflächen" findet mittwochs von 10:15 - 11:45 Uhr in Raum EW 561 statt.
| Datum | Thema | Vortragende(r) |
|---|---|---|
| 23.10.2019 | Carbon complexes in AlN and GaN | Ivan Gamov (IKZ) |
| 04.12.2019 | Charakterisierung von β-Ga2O3 Schichten abgeschieden mittels gepulster Laserdeposition | Kai Geilert (HZB) |
| 11.12.2019 | Temperature depenent electroluminescence spectroscopy of AlGaN based UVB-LEDs | Jakob Höpfner |
| 15.01.2020 | Determination of the carrier diffusion length in GaN from cathodoluminescence maps around threading dislocations: fallacies and opportunities | Jonas Lähnemann (PDI) |
| 22.01.2020 | Electrical characteristics of Pt and Pd based contacts to GaN:Mg (Bachelorvortrag) | Thomas Tenzler |
| 29.01.2020 | Nitride tunnel junctions grown by MBE and MOVPE | Victor Fan Arcara (CNRS-CRHEA) |
| 12.02.2020 | AlN base layers for UV LEDs | Sebastian Walde (FBH) |
| ! Do !, 20.02.2020 | Untersuchung von photoinduzierten Effekten in organisch-anorganischen Perowskiten | Sarah Kilian (HZB) |
| 26.02.2020 | UVC LEDs (Mastervortrag) | Daniel Hauer Vidal |
| Beginn 9:15 Uhr! 04.03.2020 | Evaluation von Klebe- und Waferbonding-Techniken für die AlN-Kristallzüchtung bei Temperaturen > 2000°C | Gada Hweidi (IKZ) |
| 04.03.2020 15:00 Uhr | GaN growth on SiC/Si substrates fabricated using Si surface carbonization | Prof. Momoko Deura (University of Tokyo) |
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