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TU Berlin

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Gruppenseminar

"Physik der Gruppe-III-Nitride: Eigenschaften, Bauelemente und Oberflächen" findet mittwochs von 10:15 - 11:45 Uhr in Raum EW 561 statt.

Seminar talks in WS 2019/20
Datum
Thema
Vortragende(r)
23.10.2019
Carbon complexes in AlN and GaN
Ivan Gamov (IKZ)
04.12.2019
Charakterisierung von β-Ga2O3 Schichten abgeschieden mittels gepulster Laserdeposition
Kai Geilert
(HZB)
11.12.2019
Temperature depenent electroluminescence spectroscopy of AlGaN based UVB-LEDs
Jakob Höpfner
08.01.2020
UVC LEDs
Daniel Hauer Vidal
15.01.2020
Determination of the carrier diffusion length in GaN from cathodoluminescence maps around threading dislocations:
fallacies and opportunities
Jonas Lähnemann
(PDI)
22.01.2020
Electrical characteristics of Pt and Pd based contacts to GaN:Mg
Thomas Tenzler
29.01.2020
Nitride tunnel junctions grown by MBE and MOVPE
Victor Fan Arcara
(CNRS-CRHEA)
12.02.2020
AlN base layers for UV LEDs
Sebastian Walde
(FBH)

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