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Gruppenseminar
"Physik der Gruppe-III-Nitride: Eigenschaften, Bauelemente und Oberflächen" findet mittwochs von 10:15 - 11:45 Uhr in Raum EW 561 statt.
| Datum | Thema | Vortragende(r) |
|---|---|---|
| 24.04.2019 | Limitations of the ABC rate equation law for III-nitrides | Carsten Netzel (FBH) |
| 15.05.2019 - 14 Uhr c.t. | Bestimmung der Temperaturabhängigkeit von Polarisationsfeldern in AlGaN/GaN Heterostrukturen mittels CV-Messungen (Bachelorvortrag) | Kay Töpfer |
| 20.05.2019 - Montag | Modeling of Luminescence, gain and recombination dynamics in semiconductornanostructures with localized hole states | Benjamin Lingnau (AG Lüdge) |
| 29.05.2019 | UV-nearfield scanning optical microscopy | Ryota Ishii (Kyoto University) |
| 05.06.2019 | Pool-Frenkel effect in AlGaN:Mg superlattices (Bachelorvortrag) | Jesus Aparici Rosas |
| 12.06.2019 | Point defects in AlN and GaN | Ivan Gamov (IKZ) |
| 19.06.2019 | P-contacts (Bachelorvortrag) | Alexander Schulz |
| 26.06.2019 | 2D semiconductor lateral multi-junctions for photovoltaic applications | Majvor Mack (HZB) |
| 07.08.2019 | MOVPE growth of UVC-LEDs (Mastervortrag) | Eviathar Ziffer |
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