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TU Berlin

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Forschungsprogramm

Lupe

Unsere Arbeitsgruppe beschäftigt sich mit dem Wachstum von Gruppe-III-Nitrid Nanostrukturen mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) und deren Anwendung in nanophotonischen Bauelementen. Das Ziel ist es die Bildung von Nanostrukturen auf atomarer Skala zu kontrollieren und damit die optoelektronischen Eigenschaften dieser Materialien masszuschneidern. Zur strukturellen, elektrischen und optischen Charakterisierung der Nanostrukturen stehen eine Reihe von Analysemethoden und Simulationstools zur Verfügung. Im Rahmen des Joint Lab "GaN Optoelectronics" mit dem Ferdinand-Braun-Institut (FBH) und in den Reinräumen des Nanophotonikzentrum (NPZ) werden verschiedenste nanophotonische Bauelemente hergestellt und charakterisiert. Unser besonderes Interesse gilt der Entwicklung von UV LEDs und UV Laserdioden, GaN-basierten oberflächenemitterender Laserdioden (SCDL, VCSEL), der Erzeugung ultrakurzer Pulse und der Realisierung monomodiger Laserdioden, sowie Quantenpunkt-basierter Einzelphotonemitter (SPE).