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TU Berlin

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Diplomarbeiten

Thema
Name
Physikalische Eigenschaften von Leuchtdioden mit Frontemission im UV-A Spektralbereich
Simon Fleischmann
Oberflächeneigenschaften von sauberen und Adsorbatterminierten In(Ga)N-Schichten
Sabine Alamé
Wachstum und Charakterisierung von InGaN basierten Laserdioden fuer blauen Spektralbereich
Bo Zhao
Wachstum und Cherakterisierung von InN in semipolare und nichtpolare Richtung
Sergej Solopow
Metallkontakte auf semipolarem und polarem Galliumnitrid
Marcus Stascheit
Wachstum und Charakterisierung InGaN basierter Lichtemitter im blauen Spektralbereich
Gunnar Kusch
Untersuchung der elektrischen, optischen und thermischen Eigenschaften von GaN-Laserdioden
Daniel Matthesius
UV-Photolumineszenzspektroskopie an AlGaN und InAlGaN MQWs
Christoph Reich
Chemische Passivierung von III-IV Halbleitern mit organischen Molekülen
Florian Duge
Wachstum von InGaN-Schichten mit der Metallorganischen Gasphasenepitaxie
André Kruse
Elektrooptische und elektrothermische Untersuchungen an Leuchtdioden im ultravioletten Spektralbereich
Michael Hoppe
MOVPE von AlGaN-Schichten mit hohem Aluminiumgehalt
Igor Kuznecov
Optoelektronische Eigenschaften und Spektrale Emp ndlichkeit von AlGaN-basierten Photodetektoren
Martin Martens
Untersuchung und Optimierung von ultravioletten AlGaInN-basierten LEDs
Toni Sembdner
in-situ Wachstumsanalyse in der MOVPE mittels Scanning Tunneling Microscopy
Matthias Schmies
Wachstum von GaN basierten Materialien auf semipolaren Oberflächen
Martin Frentrup
Morphologie und atomare Struktur von In(Ga)N Oberflächen und Nanostrukturen
Amelie Biermann
Dotierung und Charakterisierung von (Al)GaN Schichten mittels MOVPE
Özgür Savas

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