Wir beschäftigen uns mit der atomaren Struktur und den elektronischen Eigenschaften von Oberflächen, Grenzflächen und Nanostrukturen. Der Schwerpunkt unserer derzeitigen Untersuchungen liegt bei Nanodrähten und Clustern auf Siliziumoberflächen sowie III-V-Nanostrukturen wie z. B. Quantenpunkte. Hierfür setzen wir insbesondere lokale Methoden ein, wie Rastertunnelmikroskopie (STM) und Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM) sowie die entsprechenden Spektroskopien (STS, XSTS). Außerdem nutzen wir Molekularstrahlepitaxie (MBE) zum Wachstum von Nanostrukturen und Photoelektronenspektroskopie (PES) am Speicherring BESSY-II zum Studium der elektronischen Eigenschaften.