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Dissertationen/Habilitationen
- Structural Characteristics of InGaAs/GaP Quantum Dots and Related Materials on the Atomic Scale, Dissertation, Christopher Prohl, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Juni 2019
- Atomic structure and electronic properties of Tb silicide nanowires, Dissertation, Stephan Appelfeller, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, November 2018
- Atomic structure and electronic properties of self-assembled clusters on silicon surfaces,
Dissertation, Martin Franz, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Dezember 2015 - The Atomic Composition of Semiconductor Quantum Dots and Related Nanostructures,
Habilitation, Holger Eisele, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Oktober 2013 - On the evolution of InAs thin films grown by molecular beam epitaxy on the GaAs(001) surface,
Dissertation, Jan Grabowski, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Dezember 2010 - Nitrogen Containing III-V Semiconductor Surfaces and Nanostructures Studied by Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy,
Dissertation, Lena Ivanova, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, September 2009 - Development of a Scanning Nearfield Optical Microscope for Low-Temperature Investigations of Semiconductor Nanostructures, Dissertation, Kai Hodeck, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Februar 2009
- Rare earth silicide nanowires on silicon surfaces, Dissertation, Martina Wanke, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, November 2008
- Atomic structure of capped In(Ga)As and GaAs quantum dots for optoelectronic devices, Dissertation, Andrea Lenz, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Februar 2008
- Formation, atomic structure, and electronic properties of GaSb quantum dots in GaAs, Dissertation, Rainer Timm, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Dezember 2007
- Rasternahfeldmikroskopie an einzelnen In0,4Ga0,6AS/GaAs-Quantenpunkten, Dissertation, Ingo Stamatis Manke, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, September 2002
- Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy of InAs/GaAs Quantum Dots, Dissertation, Holger Eisele, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, September 2001
- Growth and electronic structure of lanthanide silicides on Si(111) and Si(001), Dissertation, Sophie Vandré, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, September 2000
- Ballistic-Electron Emission Microscopy (BEEM): Applied to Study the Electronic Structure of Metal/Semiconductor Interfaces, Habilitationsschrift, Mario Prietsch, Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin, November 1992
- Photoelektronenspektroskopie an Grenzflächen von Halbleitern mit Seltenerd- und Alkalimetallen, Inauguraldissertation, Mario Prietsch, FB Physik der Freien Universität Berlin, 1987