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Bachelorarbeiten
- Wachstum von N-heterozyklischen Carbenen auf der Si(111)-B-Oberfläche, Bachelorarbeit, Denise Liebig, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, März 2020
- Atomare und elektronische Struktur von CoPc-Molekülen auf Au-modifizierten Siliziumoberflächen, Bachelorarbeit, Yannick Alexandre Alves, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, November 2019
- Oberflächen dotierter ß-Ga2O3 Halbleiter, Bachelorarbeit, Christian Bruckmann, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Mai 2019
- Eigenschaften der ß-Ga2O3(100) Oberfläche, Bachelorarbeit, Jonathan Karl Hofmann, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, November 2018
- Einbetten von Clustern in einer Si-Matrix, Bachelorarbeit, Patiparn Naruchit, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Februar 2018
- Querschnittsrastertunnelmikroskopie an GaP-Schichten auf Si(001), Bachelorarbeit, Malte Marquardt, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Januar 2017
- Terbiumsilizid-Nanostrukturen auf den Si(553)- und Si(775)-Oberflächen, Bachelorarbeit, Lars Freter, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Januar 2016
- Wachstum von Silizid-Nanodrähten auf vizinalen Si(111)-Oberflächen, Bachelorarbeit, Christian Hassenstein, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, September 2015
- Charakterisierung von InGaAs/GaAs-Nanostrukturen, Bachelorarbeit, Tim Amrhein, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, September 2015
- Struktur und elektronische Eigenschaften der In2O3(111)-Oberfläche, Bachelorarbeit, Robert Zielinski, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, März 2014
- Strukturuntersuchungen an InGaAs/GaSb-Nanostrukturen, Bachelorarbeit, Jonas Heggemann, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, November 2013
- Untersuchung von Terbium-Nanostrukturen auf der Si(111)-Oberfläche, Bachelorarbeit, Robert Kohlhaas, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Oktober 2013
- Untersuchung von Terbiumsilizid-Nanodrähten auf der Si(001)-Oberfläche, Bachelorarbeit, Stefan Kuls, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, August 2013
- Atomare Struktur von InGaAs-Quantenpunkten in GaP, Bachelorarbeit, Dominik Roy, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Februar 2013
- Rastertunnelspektroskopie an DySi2-Nanodrähten auf Si(001), Bachelorarbeit, Kevin Irmer, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Oktober 2012
- Überwachsen von Silizid-Nanodrähten, Bachelorarbeit, Milan Kubicki, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, August 2012
- Aufbau eines Rastertunnelmikroskops für Untersuchungen an Querschnittsflächen, Bachelorarbeit, Alexandra Roth, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, März 2012
- Atomare Struktur von GaAs/GaSb-Nanostrukturen, Bachelorarbeit, Jan Große, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, März 2012
- Wachstum von Übergangsmetallsilizid-Nanostrukturen auf Silizium, Bachelorarbeit, Lara Sophie Hoppe, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, November 2011
- Homoepitaxie von Silizium auf verschieden orientierten Substraten, Bachelorarbeit, Thomas Brückmann, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Oktober 2011
- Charakterisierung von InAs/GaAs-Submonolagenstrukturen, Bachelorarbeit, Konstantin Zak, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Juni 2011
- Wachstum von Dysprosiumsilizid-Submonolagen auf Si(001), Bachelorarbeit, Michael Theurer, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Juni 2011
- Strukturelle Untersuchungen von InAs/InGaAsP-Nanostrukturen, Bachelorarbeit, Wjatscheslav Martyanov, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Januar 2011
- Struktur von Dysprosiumsilizidclustern auf der Si(111)-Oberfläche, Bachelorarbeit, Monir Rychetsky, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Juli 2010
- Strukturelle Untersuchungen der GaP(001)-Oberfläche, Bachelorarbeit, Milan Gajewski, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Februar 2010
- Oberflächenuntersuchungen an Gruppe-III-Nitrid-Halbleitern, Bachelorarbeit, Mario Sauppe, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, November 2009
- STM-Untersuchung von Silizidclustern auf Siliziumoberflächen, Bachelorarbeit, Stephan Appelfeller, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Oktober 2009
- Strukturelle Eigenschaften von InAs/GaAs-Nanostrukturen im Submonolagenbereich, Bachelorarbeit, Jonas Becker, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, August 2009