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TU Berlin

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Dissertationen und Habilitationen

  1. Steckenborn, Arno
    Zeit- und ortsaufgelöste Tieftemperatur-Kathodolumineszenz von Halbleitern im Rasterelektronenmikroskop 
    25.11.1980

  2. Goetz, Karl-Heinz 
    Charakterisierung von epitaktisch auf InP abgeschiedenenGaxIn1-xAs-Schichten (0.45<0.49) mittels Photolumineszenz und Doppelkristall-Röntgendiffraktometrie
    22.06.1984

  3. Brauchle, Karl-August 
    Kapazitive Störstellenspektroskopie an III-V-Verbindungshalbleiter-Schichten
    17.01.1986

  4. Juhl, Andreas 
    Calorimetrische Absorptionsspektroskopie (CAS) – eine neue Methode zur Charakterisierung der optischen Eigenschaften von Halbleitersystemen
    13.02.1987

  5. Oertel, Detlef 
    Einfluß von Grenzflächenrauhigkeit, Ordnungseffekten und Dotierungen auf die optischen Eigenschaften von InP-basierten MOCVD-Heterostrukturen
    20.11.1987

  6. Christen, Jürgen 
    Bestimmung der atomaren Morphologie von GaAs/AlGaAs-Heterogrenzflächen mittels Lumineszenzuntersuchungen
    10.03.1988

  7. Wilke, Werner W. G. 
    Untersuchung von Grenzflächen zwischen III-V- und II-VI-Halbleitern mittels Photoemission
    19.04.1989

  8. Korb, Wolfgang 
    Digitale Kapazitätstransientenspektroskopie tiefer Störstellen in III-V-Halbleiterstrukturen
    19.05.1989

  9. Chen, Zhihao 
    Electrical and optical properties of epitaxial In0.53Ga0.47As doped with 3d-transition-metals
    30.06.1989

  10. Morlock, Ulrich 
    Herstellung und Charakterisierung von Flüssigphasen-epitaxieschichten mit atomaren Stufen an der Kristalloberfläche und an den Heterogrenzflächen im System GaAs-AlGaAs
    11.07.1989

  11. Kummrow, Andreas 
    Nichtlineare optische Dünnschichtelemente in Aufdampftechnik
    23.03.1990

  12. Krahl, Mathias 
    Vom GaAs quantum well zum GaAs Übergitter: Einfluß der Kopplung von Quantentöpfen auf spontane Emissionsprofile,Verstärkungsprofile und spontane Rekombinationskoeffizienten
    04.05.1990

  13. Darwish, Salah D. M. 
    Thermal annealing studies of Fe and Ti implanted in GaAs and InP
    11.05.1990

  14. Grundmann, Marius 
    Heteroepitaxie von InP auf Si (001)
    13.11.1991

  15. Ullrich, Harald 
    Vergleichende Untersuchung zum thermischen Verhalten von Fe und Ti in ionenimplantiertem GaAs, InGaAs, GaP, InP und In0.53Ga0.47As
    17.12.1991

  16. Maierhofer, Christiane 
    Einfluß von Zwischenschichten an der Grenzfläche auf die Banddiskontinuitäten von Halbleiterheterostrukturen
    24.1.1992

  17. Weber, Andreas 
    Erzeugung von ps-Lichtimpulsen durch Modenkopplung in Halbleiterlasern
    27.3.1992

  18. Wolf, Torsten 
    Übergangsmetalle in III-V Halbleitern: Metallorganische Gasphasenepitaxie und elektronische Eigenschaften
    17.7.1992

  19. Christen, Jürgen 
    Lumineszenz aus Halbleiter-Nanostrukturen (Habilitation)
    27.11.1992

  20. Kuhl, Detlef 
    Herstellung und Charakterisierung von MSM Detektoren
    30.11.1992

  21. Knecht, Andrea 
    Diffusion ionenimplantierter 4d und 5d Übergangsmetalle in GaAs, GaP und InP
    26.3.1993

  22. Srocka, Bernd 
    Übergangsmetalle in III-V Halbleitern: Einbau durch Flüssigphasenepitaxie, elektronische und optische Eigenschaften
    2.9.1993

  23. Böhrer, Jens 
    Wachstum und elektronische Eigenschaften InP-basierter Heterostrukturen
    6.9.1993

  24. Schell, Martin 
    Erzeugung ultrakurzer Lichtpulse mit Halbleiterlasern: Theorie und Experiment
    30.9.1993

  25. Hieronymi, Frank 
    Großflächige InGaAs-MSM Photodetektoren für die optische Freistrahl-Verbindungs- und Vermittlungstechnik
    25.5.1994

  26. Schnabel, Rainer F. 
    Heteroepitaxie von InP-basierten Bauelementstrukturen auf strukturierten Si-Substraten
    19.5.1995

  27. Yu, Yin 
    Passively mode-locked and self-pulsing semiconductor lasers
    1.11.1995

  28. Grundmann, Marius 
    Selbstorganisierte Quantenpunkte (Habilitation)
    17.11.1995

  29. Krost, Alois
    Hochauflösende Röntgenbeugung an Halbleiterepitaxieschichten (Habilitation)
    15.12.1995

  30. Kirstaedter, Nils 
    Statische und dynamische Eigenschaften von (InGa)As/GaAs Quantenpunktlasern
    13.6.1996

  31. Kuttler, Marc 
    Diffusionsinduzierte Durchmischung von II-VI Heterostrukturen: Mechanismen und technologische Anwendung
    10.2.1998

  32. Heinrichsdorff, Frank 
    MOCVD growth and laser applications of In(Ga)As/Ga quantum dots
    10.2.1998

  33. Kollakowski, Stefan
    Entwurf und Realisierung neuartiger InP/InGaAs basierter Hochgeschwindigkeits-Photodetektoren
    28.10.1998

  34. Dröge, Elmar 
    InGaAs Metall-Halbleiter-Metall Hochgeschwindigkeitsdetektoren
    16.2.1999

  35. Dadgar, Armin 
    MOCVD-Wachstum und elektrische Eigenschaften von Eisen und Platinmetallen in Indiumphosphid
    19.3.1999

  36. Näser, Alexander 
    Paramagnetische Elektronenresonanzuntersuchungen an Störstellen der Elemente Kadmium und Zink in Silizium
    15.6.1999

  37. Pohl, Udo
    Epitaxie und Charakterisierung von II-VI-Quantenfilmen und Quantenpunkten (Habilitation)
    14.0.1999

  38. Huhse, Dieter 
    Neuartige wellenlängenabstimmbare Halbleiterlasersysteme mit externen Glasfaserkavitäten
    14.9.1999

  39. Engel, Thomas 
    Monolithische Photoempfänger zur Optik/Millimeterwellenkonversion mit MSM-Photodetektoren und HEMT-Verstärkern auf InP
    12.10.1999

  40. Engelhardt, Rolf 
    Metallorganische Gasphasenepitaxie und Laseranwendungen von CdSe/Zn(S,Se) Quantenpunkten
    24.1.2000 

  41. Mao, Ming-Hua 
    Dynamic properties of InGaAs/GaAs quantum-dot lasers
    6.6.2000
     
  42. Stier, Oliver 
    Electronic and optical properties of quantum dots and wires
    20.10.2000

  43. Reimann, Olaf 
    Ultraschnelles elektrooptisches Sampling mit Halbleiterlasern
    11.12.2000

  44. Türck, Volker 
    Elektronische Eigenschaften einzelner Halbleiterquantenpunkte
    26.1.2001

  45. Kapteyn, Christian 
    Carrier emission and electronic properties of self-organized semiconductor quantum dots
    10.5.2001

  46. Strittmatter, André 
    Metallorganische Gasphasenepitaxie von (Ga,In,Al(N-Halbleiterschichten
    11.1.2002

  47. Heitz, Robert 
    Electronic and optical properties of self-organized quantum dots (Habilitation)
    6.2.2002

  48. Straßburg, Matthias 
    Neue Konzepte für grün emittierende II-VI-Laser
    19.7.2002

  49. Müller-Kirsch, Lutz 
    Metallorganische Gasphasenepitaxie und Charakterisierung von antimonhaltigen Quantenpunkten
    29.8.2002

  50. Ribbat, Christian 
    Hochleistungs-Quantenpunkt-Halbleiterlaser
    4.12.2002

  51. Sellin, Roman 
    Metalorganic chemical vapor deposition of high-performance GaAs-based quantum-dot lasers
    2.7.2003 

  52. Pfitzenmaier, Holger
    MSM-Photodetektoren: Implementierung neuer Technologien und Realisierung des Wanderwellenkonzepts
    24.7.2003

  53. Guffarth, Florian 
    Elektronische Eigenschaften von In(Ga)As/GaAs Quantenpunkten
    21.10.2003

  54. Ouyang, Dongxun 
    Characterization of lasers based on self-organized In(Ga)As quantum dots
    22.12.2003

  55. Hopfer, Friedhelm
    Oberflächenemittierende Quantenpunktlaser: Design, Technologie und Charakterisierung
    07.12.2004

  56. Bognár, Sebastian 
    Elektrolumineszenzuntersuchungen an InGaAs/GaAs-Quantenpunkten – Gewinn und Polarisation von Kantenemittern
    22.03.2005

  57. Weber, Alexander 
    Optische Untersuchungen von Intersubniveau-Übergängen in selbstorganisierten InGaAs/GaAs-Quantenpunkten
    13.07.2005

  58. Kuntz, Matthias
    Modulated InGaAs/GaAs Quantum Dot Lasers
    09.11.2005'

  59. Rodt, Sven
    Exzitonische Komplexe in einzelnen III-V Quantenpunkten
    15.11.2005

  60. Kaiander, Ilia 
    MOCVD growth of InGaAs/GaAs QDs for long wavelength lasers and VCSELs
    20.12.2005

  61. Quast, Holger 
    Semiconductor Laser Systems with Advanced Pulse Compression for High-Frequency Measurement Applications
    18.12.2006

  62. Lämmlin, Matthias 
    GaAs-Based Semiconductor Optical Amplifiers with Quantum Dots as an Active Medium
    21.12.2006

  63. Geller, Martin 
    Investigation of Carrier Dynamics in Self-Organized Quantum Dots for Memory Devices 
    12.04.2007 

  64. Schliwa, Andrei 
    Electronic Properties of Self-Organized Quantum Dots
    25.04.2007 

  65. Schulz, Oliver 
    Einfluss lokaler Materialmodifikationen auf die Eigenschaften von Halbleiterlasern
    05.06.2007 

  66. Seguin, Robert
    Electronic Fine Structure and Recombination Dynamics in Single InAs Quantum Dots 
    28.01.2008

  67. Winkelnkemper, Momme
    Electronic Fine Structure of Nitride-based Quantum Dots 
    07.11.2008

  68. Warming, Till
    Elektronische Struktur angeregter Zustände einzelner InAs-Quantenpunkte
    20.02.2009

  69. Pötschke, Konstantin
    Untersuchungen zur Bildung von Quantenpunkten im Stranski-Krastanow und im Submonolagen Wachstumsmodus
    27.02.2009

  70. Lochmann, Anatol
    Entwicklung und Untersuchung quantenpunktbasierter Einzelphotonenquellen
    30.04.2010

  71. Kettler, Thorsten 
    Halbleiterlaser hoher Brillanz
    04.05.2010

  72. Mutig, Alex 
    Oberflächenemittierende Quantenpunktlaser 
    15.07.2010

  73. Marent, Andreas 
    Entwicklung einer neuartigen Quantenpunkt-Speicherzelle
    22.10.2010 

  74. Stock, Erik'
    Self-organized quantum dots for single photon sources
    03.12.2010

  75. Meuer, Christian
    GaAs-based Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifiers at 1.3 µm for All-Optical Networks
    21.06.2011

  76. Fiol, Gerrit                      
    1.3 µm Monolithic Mode-Locked Quantum Dot Semiconductor Lasers
    24.06.2011

  77. Germann, Tim David                      
    Design and Realization of Novel GaAs Based Laser Concepts
    21.12.2011

  78. Ostapenko, Irina
    Kathodolumineszenz an Nanostrukturen
    27.04.2012

  79. Strittmatter, André
    Semiconductor Photonic Devices (Habilitation)
    09.05.2012

  80. Nowozin, Tobias
    Quantenpunktbasierte Speicherbausteine
    14.06.2013

  81. Stracke, Gernot
    Electronic Properties of and Carrier Dynamics in self-organized quantum Dots for Memories
    29.08.2014

  82. Hönig, Gerald
    Mehrteilchenzustände in Halbleiter-Quantenpunkten
    09.03.2015

  83. Unrau, Waldemar
    Realisierung einer elektrisch betriebenen Einzelphotonenquelle  mit verspannungsinduziert platzierten Quantenpunkten
    10.03.2015

  84. Moser, Philip
    Energy-efficient oxide-confined VCSELs for optical interconnects in data centers and supercomputers
    24.03.2015

  85. Li, Hui
    Temperature-Stable, Energy-Efficient, and High Bit-Rate 980 nm VCSELs
    14.07.2015

  86. Schmeckebier, Holger
    Quantum-Dot-Based Semiconductor Optical Amplifieres for O-Band Optical Communication
    29.01.2016

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