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TU Berlin

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Gruppenseminar

"Physik der Gruppe-III-Nitride: Eigenschaften, Bauelemente und Oberflächen" findet mittwochs von 10:15 - 11:45 Uhr in Raum EW 561 statt.

Seminar talks in WS 2017/18
Datum
Thema
Vortragende(r)
01.11.2017
Epitaxy on ELO AlN and Bulk AlN
Christian Kuhn
22.11.2017
Metamorphic Al0.5Ga0.5N
Johannes Enslin
29.11.2017
Liquid crystals
Shaojun Wu
06.12.2017
Nanopattering of nitrides
Pierre-Marie Coulon (Bath)
13.12.2017
Epitaxy of UVB-LEDs
Arne Knauer
(FBH)
10.01.2018
(entfällt)
UV-PL of AlGaN QWs
(Mastervortrag)

Baran Avinc
17.01.2018
Hall measurements of (Al)GaN
(Mastervortrag)
Stefan Kammer
22.01.2018
Mo 10:15 Uhr
Nanowire UVA-LEDs
Ida Marie Eriksdatter Høiaas and Helge Wemann
(NTNU)

23.01.2018
Di 9:00 Uhr
Device simulations with nextnano
Stefan Birner
(nextnano)
24.01.2018
AlN on sapphire
Sebastian Walde
(FBH)
31.01.2018
Reducing the TDD of AlN on SiC Through the Use of Reduced Temperature Interlayers
Humberto Foronda
(UCSB)
07.02.2018
Encapsulation of UV-LEDs
Shaojun Wu
14.02.2018
n-contacts on AlGaN:Si with high aluminum mole fraction
Luca Sulmoni
21.02.2018
High order InGaN based DFB-laser diodes
Ji-Hye Kang
(FBH)

 

 

 

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