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TU Berlin

Inhalt des Dokuments

FP Versuch F6 Photolumineszenzspektroskopie an III-V Halbleitern

Standort:
IFKP (Arbeitsgruppe Prof. Kneissl)
Inhalt:
Die strahlende Rekombination von optisch angeregten Ladungsträgern hängt in vielfältiger Weise von der elektronischen Zustandsdichte nahe der Bandkante ab. Somit ist die spektrale Auflösung dieses Lichtes im sichtbaren und nahen Infrarot eine wichtige Methode zur Bestimmung von Verunreinigungen, Stöchiometrieschwankungen oder Verspannungen multinärer heteroepitaktischer Schichten. Diese Ergebnisse liefern wichtige Rückschlüsse auf den Wachstumsprozess in der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE). Im weiteren ist es möglich geworden Quantisierungsphänomene von Elektron-Loch-Paaren in dünnen Halbleiterheterostrukturen zur Qualitätskontrolle der Grenzflächen der Heterostruktur auszunutzen und die Lumineszenzspektroskopie als Standardmethode einzusetzen.
Folgende Experimente sind während der Versuchszeit durchzuführen:
1. Aufnahme und Interpretation von Spektren, gemessen an MOVPE gewachsenenen InN, InAsP und GaAsN Schichten bei verschiedenen Temperaturen
und Anregungsdichten.
2. Lumineszenzmessungen an InGaAs/InP Quantumwell-Strukturen bei verschieden Temperaturen.
Lernziele bzw. Methoden:
• optische Messtechnik
• Arbeit mit flüssigem Helium
• Verständniss des Einflusses der Kristallstruktur auf die strahlende Rekombination von Ladungsträgern
Literatur:
K.-H. Goetz: Dissertation, Institut für Halbleitertechnik, RWTH Aachen (1984).
J. Christen: Dissertation, Institut für Festkörperphysik, TU Berlin (1988).
G. Bastard: Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures, monographies de physique

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