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TU Berlin

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Epitaxie von Nanostrukturen

Lupe

Unsere Forschungsarbeiten konzentrieren sich auf das technologisch relevante Materialsystem Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AIN) und Indiumnitrid (InN). Das Wachstum der Heterostrukturen, Quantenfilme und Quantenpunkte erfolgt mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE). Zur Charakterisierung der Nanomaterialien stehen ein Reihe von Analaysemethoden zur Verfügung, u.a. in-situ Spektroskopische Ellipsometrie/Reflektometrie, hochauflösende Röntgenbeugung (HR-XRD), Rasterkraftmikroskopie (AFM), Rasterelektronenmikroskopie (SEM), Photolumineszensspektroskopie (PL) und Hall-Effektmessungen. Bei der Erforschung neuer Nanomaterialien interessieren wir uns vor allem für folgende Themen:

  • MOVPE von AlGaN und InAlGaN Quantenfilmen (QWs) für Lichtemitter im gesamten ultravioletten (UV) Spektralbereich. Herausforderungen sind vor allem neue Ansätze zur Defektreduktion und Dotierung dieser Halbleitermaterialien und die Analyse der strukturellen und optischen Eigenschaften der Quantenfilme.
  • Epitaxie von InGaN Heterostrukturen auf unpolaren und semipolaren GaN Oberflächen für Laserdioden im blau-grünen Spektralbereich und langwelligen LEDs.
  • Wachstum von GaN und InGaN Quantenpunkten für Einzelphotonemitter (SPE). In diesem Projekt werden verschiedene Ansätze zum Wachstum von GaN und InGaN Quantenpunktstrukturen mittels MOVPE untersucht.

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