direkt zum Inhalt springen

direkt zum Hauptnavigationsmenü

Sie sind hier

TU Berlin

Inhalt des Dokuments

Masterarbeitsthemen

Gruppe: Epitaxie von Nanostrukturen

Themen bei persönlicher Anfrage (T. Wernicke).

 

 

Wachstum von UV-C-Lasern

(Master)
Christian Kuhn

Kurzbeschreibung: Laser im UV-C Bereich (l < 280 nm) stellen eine große Herausforderung an Heterostrukturdesign und Materialqualität. Voraussetzung für die Realisierung solcher Laser sind Materialen mit ausreichend großer Bandlücke. An der TU Berlin werden AlGaN basierte optisch gepumpte Laser mit MOVPE gewachsen und durch optisches Pumpen charakterisiert.

Im Rahmen der Arbeit sollen Laser gewachsen werden und an ihnen der Einfluss der Heterostruktur sowie der Wachstumsbedingungen auf Morphologie und Homogenität untersucht werden.

 

 

 

Gruppe: Charakterisierung von Halbleiterbauelementen

Thema: Analyse der Lumineszenz von III-Nitridhalbleitern mittels PL und EL

Betreuer: C. Reich (EW 606)

 

Kurzbeschreibung: Die Gruppe III-Nitride AlN, GaN sowie deren Verbindung AlGaN decken mit einer Bandlücke zwischen 6.2 eV und 3.6 eV den gesamten ultravioletten Spektralbereich ab. Im Mittelpunkt dieser Arbeit steht die Entwicklung von im UV emittierenden Bauelementen. Zum einen soll mittels Photolumineszenzspektroskopie grundlegende Untersuchungen an ternären AlGaN-Schichten  durchgeführt werden sowie die interne Quantenausbeute von Mehrfachquantentopf-Strukturen untersucht werden. Des weiteren wird mittels der Elektrolumineszenzspektroskopie die Lumineszenz von UV-LEDs untersucht und in Verbindung mit Simulationen deren Effizienz optimiert.

Was solltest du mitbringen: Grundlegendes Interesse an Halbleiterphysik, Spektroskopie oder optischen Bauelementen, die Bereitschaft Vollzeit im Team zu arbeiten, Erfahrungen mit Labview, Origin oder Mathematica hilfreich

Möglicher Startzeitpunkt: ab Januar 2014 (Einarbeiten auch ab sofort möglich)

 

Thema: Charakterisierung von UV-C-Lasern
Betreuer: Martin Martens


Kurzbeschreibung: Laser im UV-C Bereich (Wellenlänge < 280 nm) stellen eine große Herausforderung an Heterostrukturdesign und Materialqualität. Voraussetzung für die Realisierung solcher Laser sind Materialen mit ausreichend großer Bandlücke. An der TU Berlin werden AlGaN basierte optisch gepumpte Laser mit MOVPE gewachsen. Nach der Herstellung von Laserfacetten müssen diese Laser untersucht werden. Dafür stehen zwei verschiedene Messplätze zum optischen pumpen zur Verfügung mit denen die Quantenfilme im Laser resonant oder nicht resonant angeregt werden können. Im Rahmen der Masterarbeit sollen Schwellenmessungen und Gewinnmessungen an verschiedenen UV-C Lasern durchgeführt werden. Die Ergebnisse sollen anschließend interpretiert und Vorschläge für Strukturen mit besseren Eigenschaften (Schwelle, interne Verluste, Verstärkung) erarbeitet werden.


Möglicher Startzeitpunkt: Ab sofort

 

 

 

Gruppe: Halbleiteroberflächen und Grenzflächen

Themen bei persönlicher Anfrage (Patrick Vogt).

 

 

 

Abteilung GaN-Optoelektronik im FBH

Thema: Erzeugung von Oberflächengittern in Laserdioden auf der Basis von GaN

(Bachelor/Master)

Kurzbeschreibung:  Das Ferdinand-Braun-Institut (FBH) arbeitet an der Entwicklung vonLaserdioden verschiedenen Designs im violetten Spektralbereich (~ 390 – 450 nm). Solche Bauelemente sind für zahlreiche Anwendungenin der Spektroskopie, der Drucktechnik, der Kommunikationstechnologieu. a. von großem Interesse. Ein Ziel besteht darin, die Emissionswellenlänge der Dioden über die monolithische Integrationvon Gittern in den Chip zu stabilisieren. Im Rahmen eines laufenden Projektes gemeinsam mit der TU Berlin untersuchen wirdie Machbarkeit von Oberflächengittern höherer Ordnung in Laserdioden auf der Basis von GaN. Die angestrebte Geometrien der Oberflächengitter werden durch theoretische Simulationen des Projektpartners TU Berlin vorgegeben. Wichtige Zielparameter sind dabei die Gitterperiode, die Ätztiefe und der Winkel der Ätzflanken. Der Bachelor-/Masterstudent soll in seiner Arbeit für solche Gitter strukturierte Masken auf GaN-Wafern herstellen und anschließend durch Plasmaätzverfahren trockenchemisch in den Halbleiter übertragen. Am FBH steht dafür ein Reinraum zur Verfügung, der mit allen Technologien ausgestattet ist, die für die Prozessierung von optoelektronischen Bauelementen auf der Basis von III-V-Halbleitern notwendig sind. Für die Ätzexperimente wird ein kommerzieller Plasmaätzreaktor genutzt, an dem die Plasmabedingungen selbstständig optimiert werden können. Die Ätzprofile sind mittels Rasterelektronenmikroskopie zu untersuchen.

Dr. Sven Einfeldt

Ferdinand-Braun-Institut

GaN-Optoelektronik

Gustav-Kirchhoff-Straße 4

12489 Berlin

 

 

 

Thema: Dotier- und zusammensetzungsabhängige Absorption in AlGaN-Schichten

(Bachelor/Master)

Im Rahmen einer Master- oder Bachelorarbeit soll die optische Absorption von epitaktisch gewachsenen AlGaN-Schichten, die mit Silizium (ggf. auch Magnesium) dotiert sind, wellenlängenaufgelöst gemessen werden. Die Konzentrationen der Dotierungen, die Zusammensetzung der ternären AlGaN-Schichten und die verwendeten Substrate/Templates werden für diese Studie variiert. Ziel der Arbeit ist es, den spektralen Verlauf des Absorptionskoeffizienten zwischen der Bandkante und bis einige hundert meV unterhalb der Bandkante zu bestimmen, um diese Information für die Entwicklung von optoelektronischen Bauteilen, wie z. B. Halbleiterlaserdioden, zu nutzen. Für die Studie muss die Genauigkeit von Transmissionsmessungen an einem vorhandenen Messplatz optimal ausgenutzt werden und ein Messverfahren für die genaue Bestimmung von Transmissions- und Absorptionswerten bei Schichtsystemen entwickelt werden, die aus Epitaxieschicht und Substrat bestehen. Im Rahmen einer Masterarbeit, bei der der gesamte Parameterbereich untersucht werden kann, bietet sich für dieses Thema die Chance auf eine Veröffentlichung, da die gefragten Daten bisher nicht publiziert sind.

 

Dr. Carsten Netzel
Ferdinand-Braun-Institut

Materialanalytik
Gustav-Kirchhoff-Straße 4
12489 Berlin

 

 

 

 

 

 

Weitere Themen

Dies sind nur einige Vorschläge. Weitere Themen sind in folgenden Bereichen denkbar:

  • Entwicklung optoelektronischer Bauelemente, insbesondere UV-LEDs (z.B. für Desinfektion von Trinkwasser), UV-Photodetektoren (z.B. für Feuerdetektion) und (ultra)violette, blaue & grüne Laserdioden: Verständnis der zugrunde liegenden Mechanismen, Herstellung der Halbleiterheterostrukturen, Realisierung von Prototypen

      → Jens Raß, Raum EW 651

  • Modellierung von Bauelementen zur Designoptimierung sowie zum Test neuer Konzepte (z.B. Simulation von Strom- und Wärmeverteilung in Mikropixel-LEDs, Modenführung in Laserheterostrukturen, Feldverteilung in Schottky-Photodioden, ...)

      → Jens Raß, Raum EW 651

  • Funktionalisierung von Nitridoberflächen mit organischen Molekülen für die Sensorik (Analyse z.B. mittels Rastertunnelmikroskopie, Photoelektronenspektroskopie)

      → Patrick Vogt, EW 640

  • Oberflächencharakterisierung von stöchiometrischen und stickstoffreichen In(Ga)N-Schichten mit polaren /nichtpolaren Kristallrichtungen im Ultrahochvakuum. (Präparierung der Oberflächen, Erhaltung von neuen Oberflächenrekonstruktionen; Oberflächenanalyse von chemischen Bindungen, lokalen Elektronendichte, mittels Rastertunnelmikroskopie, Augerelektronenspektroskopie, Photoelektronenspektroskopie).

         → Daria Skuridina EW 607

Zusatzinformationen / Extras

Direktzugang

Schnellnavigation zur Seite über Nummerneingabe

Interesse?!

Dann kommt doch mal im
6. Stock vorbei.
Fragen ?!
Einfach eine email an