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TU Berlin

Inhalt des Dokuments

Diplomarbeiten

Thema
Name
Physikalische Eigenschaften von Leuchtdioden mit Frontemission im UV-A Spektralbereich (PDF, 129,9 KB)
Simon Fleischmann
Oberflächeneigenschaften von sauberen und Adsorbatterminierten In(Ga)N-Schichten (PDF, 878,2 KB)
Sabine Alamé
Wachstum und Charakterisierung von InGaN basierten Laserdioden fuer blauen Spektralbereich (PDF, 961,7 KB)
Bo Zhao
Wachstum und Cherakterisierung von InN in semipolare und nichtpolare Richtung (PDF, 6,3 MB)
Sergej Solopow
Metallkontakte auf semipolarem und polarem Galliumnitrid (PDF, 2,1 MB)
Marcus Stascheit
Wachstum und Charakterisierung InGaN basierter Lichtemitter im blauen Spektralbereich (PDF, 2,7 MB)
Gunnar Kusch
Untersuchung der elektrischen, optischen und thermischen Eigenschaften von GaN-Laserdioden (PDF, 1,3 MB)
Daniel Matthesius
UV-Photolumineszenzspektroskopie an AlGaN und InAlGaN MQWs (PDF, 1,3 MB)
Christoph Reich
Chemische Passivierung von III-IV Halbleitern mit organischen Molekülen (PDF, 3,1 MB)
Florian Duge
Wachstum von InGaN-Schichten mit der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (PDF, 1,8 MB)
André Kruse
Elektrooptische und elektrothermische Untersuchungen an Leuchtdioden im ultravioletten Spektralbereich (PDF, 3,9 MB)
Michael Hoppe
MOVPE von AlGaN-Schichten mit hohem Aluminiumgehalt (PDF, 333,2 KB)
Igor Kuznecov
Optoelektronische Eigenschaften und Spektrale Emp ndlichkeit von AlGaN-basierten Photodetektoren (PDF, 2,9 MB)
Martin Martens
Untersuchung und Optimierung von ultravioletten AlGaInN-basierten LEDs (PDF, 1,5 MB)
Toni Sembdner
in-situ Wachstumsanalyse in der MOVPE mittels Scanning Tunneling Microscopy (PDF, 1,6 MB)
Matthias Schmies
Wachstum von GaN basierten Materialien auf semipolaren Oberflächen (PDF, 438,3 KB)
Martin Frentrup
Morphologie und atomare Struktur von In(Ga)N Oberflächen und Nanostrukturen (PDF, 1,8 MB)
Amelie Biermann
Dotierung und Charakterisierung von (Al)GaN Schichten mittels MOVPE (PDF, 2,0 MB)
Özgür Savas

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