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TU Berlin

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Veröffentlichungen 2016 -

  • Modification of the electronic properties of magic In clusters on Si(111)7 × 7 by different environments, M. Franz, J. Schmermbeck, and M. Dähne, J. Vac. Sci. Technol. B 34, 04J101 (2016).
  • Rare-earth silicide thin films on the Si(111) surface, S. Sanna, C. Dues, W.G. Schmidt, F. Timmer, J. Wollschläger, M. Franz, S. Appelfeller, and M. Dähne, Phys. Rev. B 93, 195407 (2016).
  • Cross-sectional scanning tunneling microscopy of antiphase boundaries in epitaxially grown GaP layers on Si(001), C. Prohl, H. Döscher, P. Kleinschmidt, T. Hannappel, and A. Lenz, J. Vac. Sci. Technol. A 34, 031102 (2016).
  • Atomic structure and stoichiometry of In(Ga)As/GaAs quantum dots grown on an exact-oriented GaP/Si(001) substrate, C.S. Schulze, X. Huang, C. Prohl, V. Füllert, S. Rybank, S.J. Maddox, S.D. March, S.R. Bank, M.L. Lee and A. Lenz, Appl. Phys. Lett. 108, 143101 (2016).
  • Atomic size effects studied by transport in single silicide nanowires, I. Miccoli, F. Edler, H. Pfnür, S. Appelfeller, M. Dähne, K. Holtgrewe, S. Sanna, W. G. Schmidt, and C. Tegenkamp, Phys. Rev. B 93, 125412 (2016).
  • Heterodimensional charge-carrier confinement in stacked submonolayer InAs in GaAsS. Harrison, M.P. Young, P.D. Hodgson, R.J. Young, M. Hayne, L. Danos, A. Schliwa, A. Strittmatter, A. Lenz, H. Eisele, U.W. Pohl, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 93, 085302 (2016).
  • Capping of rare earth silicide nanowires on Si(001), S. Appelfeller, M.Franz, M. Kubicki, P. Reiß, T. Niermann, M.A. Schubert, M. Lehmann and M. Dähne, Appl. Phys. Lett. 108, 013109 (2016).

 

 

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