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TU Berlin

Inhalt des Dokuments

Dipl.-Phys. Christopher Prohl

Lupe

Dipl.-Phys. Christopher Prohl
TU Berlin - AG Dähne
Institut für Festkörperphysik
EW 4-1, Room 406
Hardenbergstr. 36
10623 Berlin

e-mail:

phone: 0049-(0)30-314-22055
fax: 0049-(0)30-314-26181

Forschungsgebiet

Herstellung von Halbleiter-Oberflächen und –Nanostrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) und Untersuchung ihrer strukturellen Eigenschaften im Rastertunnelmikroskop (STM) sowie Untersuchung vergrabener Nanostrukturen mittels Querschnittsrastertunnelmikroskopie (XSTM), z.Zt. schwerpunktmäßig InAs/GaAs & InGaAs/GaP

Lebenslauf

Ausbildung
seit 06/2009
Promotionsstudium Physik, AG Dähne, TU Berlin
 04/2009
 Diplom in Physik, TU Berlin
 10/2005
 Vordiplom in Physik, TU Berlin
 10/2003-04/2009
 Physik-Studium, TU Berlin

Lehre

 
 
WS 15/16
Übung zur Experimentalphysik V - Festkörperphysik
SS 15
Seminar: Atomare Struktur von Halbleiter-Nanostrukturen
WS 14/15
Übung zur Experimentalphysik V - Festkörperphysik
WS 13/14
Übung zur Experimentalphysik V - Festkörperphysik
SS 13
Seminar: Oberflächen und Nanostrukturen
WS 12/13
Übung zur Experimentalphysik V - Festkörperphysik
SS 12
Seminar: Nanophotonik - Grundlagen und Anwendungen
WS 11/12
Übung zur Experimentalphysik V - Festkörperphysik
WS 11/12
Weiterbildung Instrumentelle Analytik
Kurs C - Atomare Struktur von Oberflächen und dünnen Filmen: Rastertunnelmikroskopie und Elektronenbeugung
SS 11
Seminar: Halbleiterphysik - Grundlagen, experimentelle Methoden, Anwendungen
WS 10/11
Weiterbildung Instrumentelle Analytik
Kurs C - Atomare Struktur von Oberflächen und dünnen Filmen: Rastertunnelmikroskopie und Elektronenbeugung
WS 10/11
Übung zur Experimentalphysik V - Festkörperphysik
WS 09/10
Weiterbildung Instrumentelle Analytik
Kurs D - Atomare Struktur von Oberflächen und dünnen Filmen: Rastertunnelmikroskopie und Elektronenbeugung
WS 07/08 – WS 08/09
Tutor im Physikalischen Grundpraktikum

Veröffentlichungen

  • Cross-sectional scanning tunneling microscopy of antiphase boundaries in epitaxially grown GaP layers on Si(001), C. Prohl, H. Döscher, P. Kleinschmidt, T. Hannappel, and A. Lenz, Journal of Vacuum Science & Technology A 34, 031102 (2016).
  • Atomic structure and stoichiometry of In(Ga)As/GaAs quantum dots grown on an exact-oriented GaP/Si(001) substrate, C.S. Schulze, X. Huang, C. Prohl, V. Füllert, S. Rybank, S.J. Maddox, S.D. March, S.R. Bank, M.L. Lee and A. Lenz, Applied Physics Letters 108, 143101 (2016).
  • Strong charge-carrier localization in InAs/GaAs submonolayer stacks prepared by Sb-assisted metalorganic vapor-phase epitaxy, D. Quandt, J.-H. Schulze, A. Schliwa, Z. Diemer, C. Prohl, A. Lenz, H. Eisele, A. Strittmatter, U.W. Pohl, M. Gschrey, S. Rodt, S. Reitzenstein, D. Bimberg, M. Lehmann, and M. Weyland, Physical Review B 91, 235418 (2015).
  • Spatial structure of In0.25Ga0.75As/GaAs/GaP quantum dots on the atomic scale, C. Prohl, A. Lenz, D. Roy, J. Schuppang, G. Stracke, A. Strittmatter, U. W. Pohl, D. Bimberg, H. Eisele, and M. Dähne, Applied Physics Letters 102, 123102 (2013).
  • Growth of In0.25Ga0.75As quantum dots on GaP utilizing a GaAs interlayer, G. Stracke, A. Glacki, T. Nowozin, L. Bonato, S. Rodt, C. Prohl, A. Lenz, H. Eisele, A. Schliwa, A. Strittmatter, U. W. Pohl, and D. Bimberg, Applied Physics Letters 101, 223110 (2012).
  • Electronic properties of dysprosium silicide nanowires on Si(557), M. Wanke, M. Franz, M. Vetterlein, G. Pruskil, C. Prohl, B. Höpfner, P. Stojanov, E. Huwald, J. D. Riley, and M. Dähne, Journal of Applied Physics 108, 064304 (2010).
  • Atomic structure and strain of the InAs wetting layer growing on GaAs(001)-c(4×4), C. Prohl, B. Höpfner, J. Grabowski, M. Dähne, and H. Eisele, Journal of Vacuum Science & Technology B 28, C5E13 (2010).
  • Atomic structure of the (4×3) reconstructed InGaAs monolayer on GaAs(001), H. Eisele, B. Höpfner, C. Prohl, J. Grabowski, and M. Dähne, Surface Science 604, 283-289 (2010).
  • Evolution of the InAs wetting layer on GaAs(001)-c(4×4) on the atomic scale, J. Grabowski, C. Prohl, B. Höpfner, M. Dähne, and H. Eisele, Applied Physics Letters 95, 233118 (2009).  
  • Energy surfaces of rare-earth silicide films on Si(111), M. Wanke, M. Franz, M. Vetterlein, G. Pruskil, B. Höpfner, C. Prohl, I. Engelhardt, P. Stojanov, E. Huwald, J.D. Riley, and M. Dähne, Surface Science 603, 2808-2814 (2009). 
  • Strukturelle Eigenschaften von Submonolagen-Bedeckungen im InAs/GaAs-Quantenpunktsystem, Diplomarbeit, Christopher Prohl, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, März 2009.

Konferenzen

2015

  • Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 15.-20. März 2015, Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy Analysis of InGaAs/GaP Quantum Dots (Vortrag).

2013

  • EMN Fall Meeting - Energy Materials Nanotechnology, Orlando/USA, 7.-10. Dezember 2013, Structural analysis of MOVPE grown InGaAs quantum dots in a GaP matrix (Invited).
  • 4th International Workshop on  Epitaxial Growth and Fundamental Properties of  Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2013), Lake Arrowhead/USA, 29. September - 4. Oktober 2013, Structural characterization of In0.25Ga0.75As/GaAs quantum dots in a GaP matrix using cross-sectional scanning tunneling microscopy (Vortrag).
  • 55th Electronic Materials Conference (EMC 2013), South Bend/USA, 26.-28. Juni 2013, Atomic Structure of In0.25Ga0.75As/GaAs Quantum Dots in a GaP(001) Matrix (Vortrag). 

2012

  • 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS, CSWeek 2012), Santa Barbara/USA, 26.-30. August 2012, Cross-sectional scanning tunneling microscopy on InGaAs/GaAs quantum dots in a GaP matrix (Vortrag).
  • Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 26.-30. März 2012, Structural characterization of InAs and In0.25Ga0.75As/GaAs nanostructures grown on GaP(001) (Poster).

2011

  • 28th European Conference on Surface Science (ECOSS 28), Wroclaw/Polen, 28. August - 2. September 2011, Surface Transformation during InAs Wetting Layer Growth on GaAs(001)-c(4×4) (Poster).
  • Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Dresden, 14.-18. März 2011, Strain aspects of the atomic structure of the InAs wetting layer grown on GaAs(001)-c(4×4) (Vortrag).

2010

  • 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010), Berlin, 22.-27. August 2010, Atomic Structure of the InAs Wetting Layer Grown on GaAs(001)-c(4×4) (Vortrag).

2009

  • Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Dresden, 23.-27. März 2009, Structural properties of sub-monolayer InAs-coverages on GaAs(001) (Vortrag).

Zusatzinformationen / Extras

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