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TU Berlin

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Physikalisches Fortgeschrittenenpraktikum (FP)

Versuch "Rastertunnelmikroskopie" (P49)
betreut von Martin Franz
Standort: IFP, EW 414, Tel. 22057



Die Rastertunnelmikroskopie (STM = scanning tunneling microscopy) ist eine weit verbreitete Methode, um die Topographie von Oberflächen mit einer über die Oberfläche gerasterten Spitze abzubilden. Dabei lassen sich Stufen an der Oberfläche, deren Rauhigkeit, Korngrenzen, Oberflächendefekte usw. abbilden, und sogar einzelne Atome sichtbar machen. Das STM bildet auch die Grundlage für eine Reihe von Spektroskopien, um die elektronischen, optischen, magnetischen und andere Eigenschaften von Oberflächen ortsaufgelöst zu studieren. Bei diesem Versuch sollen die technischen und apparativen Details eines STM kennengelernt werden, um dann eine Halbleiter-Oberfläche atomar abzubilden.

Methoden und Lernziele: Rastertunnelmikroskopie, Tunneleffekt, Regelungstechnik, Abbildung von Oberflächen

Literatur:

  • C. Bai, Scanning Tunneling Microscopy and its Applications, Springer Series in Surface Sciences 32, 1992
  • J. Chen, Introduction to Scanning Tunneling Microscopy, Oxford, 1993
  • R. Wiesendanger, Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy, Cambridge, 1994

Link zur FP-Organisation: Übersicht und Anmeldung zum Fortgeschrittenenpraktikum

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