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TU Berlin

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AlGaN Quantenwells

Motivation:

Auf AlGaN basierende Halbleiterstrukturen finden häufig Anwendung im Bereich der LEDs und Laser-Dioden, welche im UV-Bereich emittieren, sowie in Kurzwellenlängen-Bauelementen (z.B. Detektoren, Solarzellen usw.). In den Bereichen der Datenspeicherung finden UV-Laser-Dioden bereits Anwendung (Blue-Ray) und sollen in Zukunft noch höhere Kapazitäten ermöglichen.

Als ternärer III-V-Halbleiter bietet AlGaN die Möglichkeit die Emissionswellenlänge abhängig vom Aluminiumgehalt zwischen 200 nm (AlN) und 365 nm (GaN) zu variieren.

Die Einschränkung von Quantenwells in einer Raumrichtung auf wenige Nanometer führt zu einer Quantisierung und zur Erhöhung der Zustandsdichte der Ladungsträger, wodurch zum einem eine Blauverschiebung der Emissionswellenlänge erreicht wird und zum anderen eine Erhöhung der Strahlungseffizienz.

Eine Bachelor- bzw. Masterarbeit in diesem Bereich würde sich u.a. mit der optischen Charakterisierung von AlGaN-Quantenwells beschäftigen.

Projektpartner: SFB 787 

Messmethoden:

Die Charakterisierung der AlGaN-Proben erfolgt u.a. durch

·         zeitaufgelöste Photolumineszenzspektroskopie

·         (temperaturabhängige) Photolumineszenzspektroskopie

·         Verspannungsmessungen durch Ramanspektroskopie.

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Nadja Jankowski
314-22054
Institut für Festkörperphysik
Raum EW-408